瑞萨电子（日本）发布了其首款100V耐压的增强型（E模式）GaN离散功率晶体管系列，进一步丰富了其GaN产品组合，专注于低电压应用领域。
新推出的低耐压GaN FET型号包括“RTP100E005G1FL”、“RTP100E2P6G1FL”、“RTP100E1P8G1FL-DSC”及“RTP100E1P2G1FL-DSC”，主要面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化（FA）、工业电机驱动、电动工具及太阳能微型逆变器等高效率和高功率密度需求的应用场景，具备超高速开关和优异的散热性能。
这些GaN FET采用低耐压E模式GaN技术，有效降低了总栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），最大限度减少电压与电流重叠，实现低损耗高速开关。
高速开关能力支持高频操作，助力缩小基板面积及磁性和无源元件尺寸，从而提升功率密度。低导通电阻降低导通损耗，提升电源效率。产品提供底部冷却和双面冷却两种结构，增强散热性能并保证设计灵活性。
此外，这些GaN晶体管兼容多种标准封装，与硅MOSFET兼容，便于客户无需大幅修改电路板即可实现从硅MOSFET向GaN的平滑过渡。该系列采用E模式（常关型）GaN技术和硅兼容封装，充分发挥GaN的高性能优势。
低耐压GaN系列主要特点
- 相较硅基设计，效率提升1~3%，减少由反向恢复电荷（Qrr）引起的损耗
- 开关损耗降低40~70%
- 降低每个开关周期的能量损耗，实现高频操作，功率密度提升最多达2倍
- 高频运行缩小磁性元件尺寸，减少安装面积，同时降低系统整体损耗
- 优化散热设计，减轻风扇及主动冷却需求，简化系统设计，降低BOM成本
瑞萨电子低耐压GaN业务高级总监Akhil Nair表示：
面向AI服务器、机器人、工业电机驱动及可再生能源系统的客户，随着系统小型化趋势，他们对更高效的电力转换需求日益增长。瑞萨的低耐压GaN系列不仅实现了GaN独有的高效率、高速开关和高功率密度，还简化了从现有硅MOSFET设计的迁移过程。
