举办地：比利时大学城鲁汶
国际半导体存储技术研究开发领域的重要学术会议——国际存储研讨会（IMW：IEEE International Memory Workshop）将于2026年5月10日至13日在比利时鲁汶的“University Hall（大学大厅）”举行。鲁汶因拥有比利时最古老的综合性大学——比利时KU Leuven（鲁汶天主教大学，成立于1425年），被誉为“大学城”。
IMW专注于半导体存储器及相关技术的国际学术交流，通常每年5月中旬至下旬举办。会议地点遵循美国与非美国（欧洲和亚洲）轮流举办的惯例。2024年会议在亚洲举行，2025年在美国，今年则回到欧洲，继2022年德国德累斯顿之后再次在欧洲召开。
三天技术讲演会及前一天的技术讲座
IMW 2026的主活动——技术讲演会将于5月11日至13日举行，包含口头报告和海报展示。首日（11日）傍晚还将举办海报展示与欢迎会。
5月10日作为预备活动，将安排为期一天的技术讲座（Tutorial）。需要注意的是，技术讲演会和技术讲座的报名费用分开，且不接受仅参加技术讲座的报名。
技术讲座主题：上午“系统”，下午“次世代存储器”
5月10日的技术讲座分为上午和下午两个部分，每部分包含三场讲演。
上午的“Tutorial 1”主题为“存储器驱动的系统（Memory Enabled Systems）”，内容涵盖跨多技术的协同优化以提升密度和带宽、宽带NAND闪存以及计算系统的制造协同优化。
下午的“Tutorial 2”主题为“先进存储器（Advanced Memory）”，包括基于忆阻器的计算内存（CiM）、基于氧化铪的铁电体器件以及可单片堆叠的1T1C型三维DRAM。
基调演讲聚焦AI存储器、NAND闪存与DRAM
5月11日技术讲演会开幕由主席致辞，随后安排三场邀请基调演讲：
- 美光科技（Micron Technology）将以“存储技术：推动AI革命”为题，展望存储技术的未来。
- 韩国三星电子（Samsung Electronics）介绍“NAND闪存：容量与性能的无尽竞争”，解析NAND闪存的演进。
- 中国长鑫存储（CXMT）分享“AI时代DRAM的演进与定位”，探讨DRAM技术的未来。
DRAM相关报告增多，NAND闪存报告减少
基调演讲后进入单一会场的普通讲演，确保所有参与者可聆听全部内容。会议将持续至5月13日中午，期间安排海报展示、欢迎会、专题讨论会及晚宴。
普通讲演分为7个专题：2个DRAM，2个NAND，2个次世代存储器，以及1个存储器驱动系统。相比上届，DRAM专题增加，NAND减少，新增存储器驱动系统专题，部分如计算内存与铁电体专题合并入次世代存储器。
次世代DRAM关键技术进展
重点DRAM报告包括：
- 三星电子介绍下一代高性能垂直通道DRAM晶体管设计（报告编号3.4）。
- Lam Research利用AI/机器学习与物理模型提升DRAM制造良率（邀请报告5.1）。
- 三星电子还分析了下一代DRAM浮动体效应与数据保持特性（海报P2）。
- NaMLab开发出介电常数高达60的锆铪氧化物介电膜，探讨其在DRAM电容器中的应用（海报P5S）。
3D NAND闪存实现高密度、高速与高效
闪存领域亮点包括：
- 日本存储器制造商铠侠（Kioxia）开发超薄钼/多晶硅叠层浮动门技术，提升3D NAND写入与擦除效率（报告2.4）。
- SanDisk通过通道背面工程提升QLC 3D NAND的可靠性（报告2.3）。
- 美光旗下Macronix International（MXIC）开发适用于超高速SSD的3D NAND设计方案（报告2.2）。
- SanDisk还评估了高介电常数存储孔结构对3D NAND Z向缩放的影响（报告8.1）。
SAIMEMORY介绍宽带DRAM技术挑战HBM
次世代存储器方面，SAIMEMORY介绍其“Z角度存储器”宽带DRAM技术（邀请报告6.1），该技术已引起多家媒体关注。
美光科技评估了单一硫属化物交叉点存储器中的“尖峰”效应（报告4.2）。
比利时IMEC介绍了具有MFSM结构的铁电体电容器在非破坏性读取FeRAM中的应用，平衡存储窗口与写入速度（报告4.3）。
应用材料公司（Applied Materials）展示了通过先进氧化技术改进实现下一代存储器器件的方法（海报P13）。
此外，会议还将呈现多项引人关注的研究成果。笔者将亲临现场，期待为读者带来后续报道。
