AI资讯SK海力士创美国历史最大海外IPO融资265亿美元，呼吁在美建新晶圆厂
AI芯片热潮迎来了华尔街迄今为止最大的时刻。韩国内存芯片巨头SK海力士周五宣布，其在美国市场首次公开募股（IPO）成功筹资265亿美元（约合40万亿韩元）。 SK海力士此次发行了1.779亿份美国存托凭证（ADR），每股定价149美元，设计使美国投资者能以约为首尔市场完整股票价格十分之一的价格参与购买。这笔交易成为非美国公司在美国市场最大规模的首次公开募股，超过了2014年阿里巴巴的250亿美元I
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AI资讯SK海力士开始量产带宽提升一倍的192GB SOCAMM2 AI服务器内存
韩国SK海力士于4月20日宣布，正式开始量产面向下一代AI服务器的内存模块——192GB SOCAMM2。 该192GB SOCAMM2内存模块基于1cnm工艺（第六代10纳米级技术）的LPDDR5X DRAM，采用了原本用于移动设备的低功耗内存技术，经过优化后适用于服务器环境。与传统的RDIMM内存相比，SOCAMM2的带宽提升超过两倍，电力效率提升超过75%。 此外，该内存模块专为日本国家N
AI资讯内存芯片巨头SK海力士或通过重磅美股IPO终结“RAM危机”
韩国内存芯片巨头SK海力士，已在韩国KOSPI上市，正筹备在美国进行潜在上市，预计融资规模可达100亿至140亿美元。公司本周宣布已秘密提交F-1表格，目标是在2026年下半年完成上市。 真正的焦点不仅在于融资金额，更在于美国上市是否能提升其作为AI芯片供应链关键企业的市场价值。尽管SK海力士在高带宽内存（HBM）领域扮演重要角色，这种内存是支持Nvidia等公司AI系统的核心组件，但据首尔半导体
AI资讯三星与SK海力士开发堆叠式超高速HBM，将DRAM直接集成于AI芯片上
现有AI加速器与HBM模块性能瓶颈 韩国三星电子和SK海力士这两大半导体存储巨头，正在开发一种将DRAM芯片直接堆叠在AI加速器（如GPU、ASIC、XPU等AI芯片）上的超高速HBM（高带宽内存）技术，并在半导体存储领域的FMS（未来存储与存储技术大会）上公布了相关技术细节。 HBM技术通过堆叠多个DRAM芯片，并结合一个逻辑芯片（基底芯片，位于最底层），利用硅穿孔通道（TSV）和微凸点实现芯
AI资讯美国投资者即将获得投资SK海力士的机会，这家内存制造商正乘AI热潮而起
韩国内存芯片制造商SK海力士，作为三星和美国美光的竞争对手，计划在美国进行首次公开募股（IPO），拟出售近1780万股股票。根据该公司周一发布的文件，如果股票销售顺利（目前迹象显示有望成功），公司有望筹集约280亿美元，基于SK海力士上周五在首尔的收盘价，彭博社报道。 SK海力士此次将发行美国存托凭证（ADR），这是一种允许美国投资者无需直接在海外交易所交易即可购买外国股票的凭证。每份ADR代表十