据路透社援引匿名消息人士报道，韩国存储芯片巨头SK海力士正与英特尔商讨首次在美国制造内存芯片的合作事宜。

据悉，双方讨论了多种合作方案，其中一种是SK海力士租用英特尔计划在俄亥俄州建设的工厂空间来生产芯片。此外，两家公司还在考虑成立合资企业，可能会包括云服务提供商的参与。

SK海力士周三向TechCrunch表示，目前尚无最终定案。该韩国半导体公司在声明中称：“SK海力士正在探索多种方案以增强全球竞争力，但目前尚未确定具体计划或安排。关于报道中提及的两种方案，也尚无任何决定。”

这家韩国芯片巨头因数据中心用于人工智能应用的高带宽内存（HBM）芯片需求激增而受益显著。SK海力士已在印第安纳州西拉法叶投资38亿美元建设先进封装和AI芯片研发设施，预计2029年开始量产。该工厂将使用在韩国制造的DRAM晶圆，封装成HBM芯片。

目前尚不清楚如果合作达成，SK海力士将在俄亥俄州生产何种类型的内存芯片。

随着全球芯片短缺加剧，特朗普政府致力于扩大美国本土生产。白宫今年1月表示，可能对半导体进口征收更广泛的关税，同时对投资国内制造的企业提供关税减免。

SK集团董事长崔泰源7月曾表示支持在美国建设芯片工厂，认为如果可行，应在美国与韩国湖南地区同时建厂。同月，SK海力士在纳斯达克上市美国存托凭证，拓宽了对美国投资者的接触。

不过，这笔潜在交易可能在韩国面临审查。首尔方面认为决定权在SK海力士，但涉及战略性芯片技术的计划可能触发政府根据防止敏感技术外流的法律进行审查。

英特尔与SK海力士此前已有合作：2020年，英特尔以90亿美元将其NAND闪存业务出售给SK海力士。

英特尔在非工作时间未立即回应TechCrunch的置评请求。